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三方管状高真空分子ポンプユニット ISO3666 分子ポンプ流量 600 l/S 到達圧力 ≤1.5×10⁻⁵Pa
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三方管状高真空分子ポンプユニット ISO3666 分子ポンプ流量 600 l/S 到達圧力 ≤1.5×10⁻⁵Pa

VET-004三方管状炉高真空分子ポンプユニットは、マルチステーション材料処理および真空環境試験用に特別に設計されています。600L/Sの高効率分子ポンプと3つの独立した管状炉を統合し、≤1.5×10⁻⁵Paの到達真空度と1200℃の高温協調運転をサポートします。半導体、新エネルギー、ナノ材料などの分野における高真空プロセスの研究開発および生産に適しています。

  • Place of Origin :

    CHINA
  • ブランド名 :

    HONGCE
  • 認証 :

    Calibration Certificate(cost additional)
  • モデル番号 :

    VET-004
  • 価格 :

    Negotiable
  • MOQ :

    1 Set
  • 納期 :

    90 Days
  • 支払い条件 :

    L/C, T/T
  • Packaging Details :

    Plywood
  • Supply Ability :

    10 Set per month

三方管状高真空分子ポンプユニット ISO3666 分子ポンプ流量 600 l/S 到達圧力 ≤1.5×10⁻⁵Pa

製品紹介

VET-004は、真空工学と高温処理の中核設備として、従来の単一ステーションの制約を打破し、3方向並列設計を採用しています。各管状炉の直径はφ120mmで、独立して温度制御が可能です(室温~1200℃)。600L/S分子ポンプと9L/Sロータリーベーンポンプを搭載し、大気圧から10⁻⁵Paレベルまで、30分以内に急速真空を実現します。本装置は、真空度、温度、ガス流量など、複数のパラメータをリアルタイムで監視し、インテリジェントな連携システムを内蔵しています。真空度が閾値を下回ると、自動的に保護機構が作動し、高温環境下における材料反応の安定性と再現性を確保します。大学の研究室、企業の研究開発センター、精密製造生産ラインなどに最適です。

製品の特徴

3 方向並列処理: 3 方向チューブ炉を独立して制御し、異なる温度と真空度のプロセスの同時操作をサポートし、効率を 300% 向上させます。

超高真空性能:分子ポンプ+ロータリーベーンポンプの複合排気、到達圧力≤1.5×10⁻⁵Pa、薄膜堆積、結晶成長などの厳しい真空要件を満たします。

正確な温度制御:各チューブ炉には PID インテリジェント温度コントローラーが装備されており、温度制御精度は ±1℃ で、加熱速度は 0 ~ 20℃/分の自由設定をサポートします。

モジュール設計: 分子ポンプとロータリーベーンポンプはメンテナンスのために分解することができ、チューブ炉のチューブは迅速な交換をサポートし、ダウンタイムとメンテナンスコストを削減します。

安全保護システム: 高温過負荷アラーム、真空漏れインターロックシャットダウン、炉シェルの火傷防止設計により、操作上の安全性を確保します。

マルチガスソース適応: 3 方向の空気入口インターフェイスが予約されており (アルゴン、窒素、水素などをサポート)、MFC 質量流量計と互換性があり、ガス流量を正確に制御します。

国際標準規格

ISO 3666:2015「真空技術 - 真空ゲージ - 性能パラメータおよび校正方法」: 真空センサーの精密校正は国際規格に準拠しており、圧力データの信頼性を確保します。

ASTM E2149-13「動的真空条件下での材料のガス放出速度の試験方法」:材料のガス放出速度検出機能をサポートし、航空宇宙材料の真空適合性試験要件を満たします。

IEC 61010-1:2010「測定、制御および実験室での使用のための電気機器の安全要件」: 電気システムは、過負荷保護および地絡検出の認証に合格しており、実験室の安全規制に準拠しています。

GB/T 16800-2012「真空技術 - 超高真空フランジ」:パイプラインインターフェースはCF35超高真空フランジを採用し、シール性能は10⁻⁹Pa・m³/sの漏れ率レベルに達します。

製品の使用

材料科学研究:カーボンナノチューブの成長、グラフェン膜の堆積、金属合金の真空焼鈍

半導体製造:ウェハレベルの真空乾燥、パッケージング前のLEDチップの脱ガス

新エネルギー分野:リチウム電池電極材料焼結、固体電池電解質真空合成

分析・試験:触媒活性評価(真空環境下でのガス吸着・脱着試験)

大学・研究機関:マルチステーション比較実験、高温真空環境シミュレーション教育

技術的パラメータ

アイテム技術的な詳細
モデルVET-004
タイプ3チャンネルチューブ炉高真空分子ポンプユニット
チャンネル数3(独立制御)
チューブ炉の直径φ120mm(各チャンネル)
最高気温1200℃(連続運転)、1250℃(ピーク、30分以下)
温度制御PIDインテリジェントコントローラ、精度±1℃
分子ポンプ速度600L/S(空気用)
ロータリーベーンポンプの速度9L/S
極限圧力≤1.5×10⁻⁵Pa(分子ポンプオン時)
圧力測定静電容量式ダイヤフラムゲージ(10⁻⁵-10⁵Pa)、精度±1%FS
加熱ゾーンの長さ600mm(各チューブ炉)
電源AC380V 3相、50Hz/60Hz、15KW(合計)
ガス入口インターフェース3×KF25(MFCマスフローコントローラー用)
冷却システム水冷(必要流量:5L/分、圧力:0.2~0.4MPa)
制御インターフェース7インチタッチスクリーンHMI、RS485/USBデータ出力
寸法(長さ×幅×高さ)2200mm×1200mm×1500mm(ポンプユニットを含む)
重さ350kg
適用ガス不活性ガス(Ar、N₂)、反応性ガス(H₂、O₂、カスタマイズ可能)
安全機能

過熱警報、真空漏れインターロック、緊急停止ボタン

テスト対象とテスト項目

テストオブジェクト

チューブ炉ライナーおよびシーリング部品

半導体ウェハ、太陽光発電用シリコンウェハ、セラミック基板

ナノ粉末材料(グラフェン酸化物、金属有機構造体MOFなど)

高温合金試料、超伝導材料試料

テスト項目

真空確立時間: 大気圧から10⁻³Pa/10⁻⁵Paまで排気するのに必要な時間

温度均一性:管状炉の軸方向温度分布(±5℃以内が適格)

材料の脱ガス速度:高温真空環境下における試料の単位面積あたりの脱ガス量

シール信頼性:CFフランジ接続時の漏れ率(≤1×10⁻⁹Pa・m³/s)

分子ポンプ効率:異なる真空範囲(低真空/高真空セクション)での排気速度安定性テスト

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